过渡金属二硫属化物（TMD或TMDC）单层材料是MX2类型的原子层半导体材料薄膜，其中M是过渡金属原子，包括钼（Mo）、钨（W）等，X是硫族原子，包括硫（S）、硒（Se）、碲（Te）。一层M原子夹在两层X原子之间，即构成该二维材料。与第一行过渡金属二硫化物相比，这些材料的关键特征是二维结构中大原子间的相互，WTe2表现出反常的巨磁阻和超导性。 [1]
而WSe2作为一种二维材料，广泛应用于电子器件、光电器件、能源存储与转换以及传感器等领域，具有优异的电子、光学和催化性能。[2]
参考文献
- ^ Eftekhari, A. Tungsten dichalcogenides (WS2, WSe2, and WTe2): materials chemistry and applications. Journal of Materials Chemistry A. 2017, 5 (35): 18299–18325. doi:10.1039/C7TA04268J.
- ^ Chen, Sihan; Zhang, Yue; King, William P.; Bashir, Rashid; van der Zande, Arend M. Edge‐Passivated Monolayer WSe2 Nanoribbon Transistors. Advanced Materials. 2024-07-18. ISSN 0935-9648. doi:10.1002/adma.202313694.
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