金属半导体场效应管（英語：metal semiconductor field effect transistor, MESFET），简称金半场效应管，是一种在结构上与结型场效应管类似，不过它与后者的区别是这种场效应管并没有使用PN结作为其栅极，而是采用金属、半导体接触结，构成肖特基势垒的方式形成栅极。金属半导体场效应管通常由化合物半导体构成，例如砷化镓、磷化铟、碳化硅等，它的速度比由硅制造的结型场效应管或MOSFET更快，但是造价相对更高。金属半导体场效应管的工作频率最高可以达到45 GHz左右，[1]在微波频段的通信、雷达等设备中有着广泛应用。第一个金属半导体场效应管在1966年被发明，其良好的极高频性能在随后的一年即展现出来。[2]在数字电路设计领域，由于数字集成电路的集成度不断提高，因此使用金属半导体场效应管并不如CMOS。
参考文献
[编辑]- ^ Lepkowski, W.; Wilk, S.J.; Thornton, T.J., 45 GHz Silicon MESFETs on a 0.15 μm SOI CMOS Process, SOI Conference, 2009 IEEE International (Foster City, CA), 2009: 1–2 [2013-01-06], ISBN 978-1-4244-4256-0, ISSN 1078-621X, （原始内容存档于2019-07-01）
- ^ GaAs FET MESFET （页面存档备份，存于互联网档案馆） radio-electronics.com.
相关条目
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