| 锑化铟 | |
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| 识别 | |
| CAS号 | 1312-41-0 
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| PubChem | 3468413 |
| ChemSpider | 2709929 |
| SMILES |
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| UN编号 | 1549 |
| EINECS | 215-192-3 |
| RTECS | NL1105000 |
| 性质 | |
| 化学式 | InSb |
| 摩尔质量 | 236.58 g·mol−1 |
| 外观 | 暗灰色晶体 |
| 密度 | 5.775 g⋅cm−3 |
| 熔点 | 527 °C（800 K） |
| 能隙 | 0.17 eV eV |
| 电子迁移率 | 7.7 mC⋅s⋅g−1 (at 27 °C) |
| 熱導率 | 180 mW⋅K−1⋅cm−1 (at 27 °C) |
| 折光度n D |
4.0 |
| 结构 | |
| 晶体结构 | 立方晶系 |
| 空间群 | T2d-F-43m |
| 配位几何 | 四面體 |
| 危险性 | |
GHS危险性符号  [1]
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| GHS提示词 | WARNING |
| H-术语 | H302, H332, H411 |
| P-术语 | P273 |
| 相关物质 | |
| 其他阴离子 | 氮化銦 磷化銦 砷化铟 |
| 若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。 | |
锑化铟（InSb）是一种由铟（In）和锑（Sb）元素组成的金屬間化合物，可由铟和锑兩種單質高溫反應製得。锑化铟是一种半导体材料，廣泛應用於紅外探測器製備[2]、紅外線導引导弹制导和红外天文学等領域。锑化铟於1951年首次被發現[3]。
参考文献
- ^ Indium Antimonde. American Elements. [June 20, 2019]. （原始内容存档于2021-05-07）.
- ^ 《半导体材料技术》. 张玉龙等主编 杭州：浙江科学技术出版社 2010 第150页. （原始内容存档于2021-04-18）.
- ^ Liu, T. S.; Peretti, E. A. Trans AIME, vol. 191, p. 791 (1951).